压力传感器宽泛利用于生涯中，如一些停车场系统
。为了提高人们对压力传感器的理解，本文将介绍半导体压力传感器，通过本文，您将相识压力传感器和压力传感器的结构，若是您对压力传感器感兴致，请关注我们PA电子一飞冲天传感站点资讯栏目
。

通常来讲半导体压力传感器可分为两类，一类是凭据半导体PN结（或肖特基结）变动的道理造成的各类压敏二极管或晶体管，压敏元件的机能极度不不变，所以发展用处不大，另一种是由半导体压力阻力效应组成的传感器，是半导体压力传感器的重要种类，在早期阶段，半导体应变片重要粘贴在弹性元件上，造成各类应力和应变丈量仪器
。随着半导体集成电路技术的发展，扩散电阻作为压力阻力元件呈此刻半导体压力传感器上
。压力传感器结构单一靠得住，无相对活动部件
。传感器的压敏元件与弹性元件相结合，解除了机械滞后和蠕变，提高了传感器的机能
。

电阻管半导体拥有电阻个性和表力，即电阻个性和表力的变动，称为电阻效应，单元应力作用下产生的电阻率的相对变动称为电阻系数，暗示为符π
。数学暗示+/=π
。

半导体电阻接受应力时产生的电阻值的变动重要取决于电阻率的变动，因而上述压阻效应的表白式也能够写为R/R=π
。

在表力作用下，由资料的杨氏模量(Y)决定的半导体晶体产生肯定的应力(∞)和应变(δ)，即Y=∞/δ
。

若是用半导体接受的应变暗示压阻效应，/R=Gδ
。

G称为压力传感器的敏感因子，暗示单元应变下产生的电阻值的相对变动
。

压阻系数或敏感因子是半导体压阻效应的根基物理参数，它们之间的关系就像应力和应变之间的关系，由资料的模量量决定，即G=πY
。

由于半导体晶体的弹性，场的模量和压力阻力系数随晶体的方向而变动，半导体压力阻力效应的大幼也与半导体的电阻率亲昵有关，电阻率越低，活络因子的值就越幼，扩散电阻的压力阻力效应由扩散电阻的晶体方向和杂质浓度决定，杂质浓度重要是指扩散层的表表杂质浓度
。

常用的半压力传感器选择N型硅片作为基板
。首先，将硅片造成拥有几何状态的弹性部件，在硅片的应力部门，沿分歧的晶体造作四个P扩散电阻，而后将四个电阻造成四臂等电桥，电阻造成电信输出，这种拥有压力效应的电桥是压力传感器的心脏，通常称为压力阻力桥
。压力阻力桥的特点是：四臂的电阻值相称（均为R0）
；相邻臂的压力阻力效应值相称，符号相反
；四臂的电阻温度系数一样，始终处于一样的温度下，其中的R为室温下无应力的电阻值
；电阻温度系数（α）引起的变动
；电阻值变动引起的电阻值变动
；电桥输出电压为u=I0RG）

I0为恒流源电流，E为恒压源电压，压力阻力桥的输出电压直接与应变（δ）成正比，与电阻温度系数引起的RT无关，大大降低了传感器的温度漂移，半导体压力传感器是检测流体压力最宽泛的传感器，其重要结构是由单晶硅资料组成的膜盒，薄膜形成杯状，杯底为表力部门，杯底选取压力桥，用一样的硅单晶资料造圆形座椅，而后将薄膜粘在座椅上，压力传感器拥有活络度高、体积幼、固体化蹬着点，已宽泛利用于航空、宇宙航杏注自动化仪器和医疗仪器
。