当半导体单晶硅传感器资料受到表力作用，产生肉眼无法觉察的极幼应变时，原子结构内的电子能级状态产生变动，导致电阻率剧烈变动，资料产生的电阻产生很大变动，称为压阻效应，我们在20世纪50年代才起头发现和钻研这种效应的利用价值。

利用压阻效应道理，选取三维集成电路工艺技术和一些特殊工艺，在单晶硅片上的特定晶体方向，造作应变电阻传感器，利用硅的弹性力学个性，在统一硅片上进行特殊机械加工，集应力敏感性和力转换检测于一体，称为固体压阻传感器。

固态压阻压力传感器诞生于20世纪60年代末，显然，与传统的膜合电位计、力平衡、变电赣注变电容、金属应变片和半导体应变片传感器相比，它在压力丈量领域依然是最新一代传感器。由于各自的特点和局限性，固然不能齐全取代上述机械量传感器，但自20世纪80年代中期以来，在美国、日本和欧洲传感器市场，它一向是压力传感器中的牛耳种类，险些与加快度传感器的国际市场等分。目前，在拥有大规模集成电路技术和推算机软件技术过问的智能传感器技术中，它依然是最引人瞩主张，由于它能够造成单片式多职能复合敏感元件，形成智能传感器的基础。