作为测力的重要传感器，应变电阻传感器的测力领域从肌纤维到登月火箭不等，精度可达0.01%-0.1%。有拉伸型(柱、筒、环)、弯曲型和剪切型。

应变传感器的特点：

资料类型：金属应变片，半导体应变片。

利用领域：应变力、压力、扭矩、位移、加快度。

利益：使用方便，精度高，领域大，体积幼。

应变器的主题部件：电阻应变片，试件上的应力变动转化为电阻变动。

应变效应:当导体或半导体受到表力作用时，会发朝气械变形，导致电阻产生变动。这种因变形而扭转电阻的景象被称为应变效应。

若电阻丝长度均匀，DL、DL、DA的变动将导致DR的变动。通过对上式的全微分，DR可获得。

金属的应变效应。

对长度为L、横截面积为A、电阻率为P的金属丝，其电阻值为R。

金属的应变效应。

若是电阻丝是圆形的，那么A=nr2，对r微分da=2nrdr，贝D。

它是金属资料的泊松系数。

界说：KS是金属丝的敏感系数，暗示单元应变引起的电阻相对变动。

确定金属资料，(1+2)项是常数，其值约为1~2，尝试证明dp/p/sx也是常数。

凭据应力。与应变s的关系：

应变s^dr,o^dro。

应力可通过弹性元件转换为应变，这是应变传感器丈量应力的根基道理。

与应造成正比的金属电阻相对变动。

受两个成分影响的活络度KS：

(1)应变片受力后资料几何尺寸的变动，即1+2
；

(2)资料电阻率在应变片受力后的变动，即(dp/p)/sxo。

金属资料：

在活络度系数表白式中，1+2号的值远弘远于(dp/p)/sx。

应变是量纲为1的数字。应变通常很幼，通常用10-6来暗示。举例来说，当应变变为0.0001时，通常在工程中暗示为1x10-6或m/m。微应变也常被称为应变丈量。

半导体应变片又称压阻传感器。

纯电阻元件由半导体资料的压阻效应造成。

压阻效应：

随着作用应力的变动，半导体资料的电阻率产生了变动。

在轴向力受到半导体资料的影响下，电阻相对变动。

nl半导体资料的压阻系数。1+2项随几何状态而变动，nle项为压阻效应，随电阻率而变动。

半导体的压阻效应。

了局批注，nle的活络度系数是1+2的近百倍，因而能够忽略1+2，所以半导体应变片的活络度系数：

半导体应变片的活络度系数是金50倍。

半导体应变片的利益：

体积幼，活络度高，频率响应领域广，输出领域广，无需放大器，可直接与纪录仪衔接，使丈量系统单一。